О технике очистки воздуха - чистые помещения

Наиболее характерными особенностями современной промышленной продукции являются высокая однородность по составу материалов и высокая точность обработки изделий. Выпуск такой продукции немыслим без специальной производственной среды, в течение длительного времени обеспечивающей заданные условия в производственных помещениях. Важнейшим параметром, характеризующим производственную среду, наряду с температурой, влажностью и кратностью воздухообмена при вентиляции помещения является ее чистота. Производства, которые нуждаются в чистой производственной среде, в настоящее время получили распространение почти во всех отраслях промышленности. Так, широкое использование высокочистых сред позволило в настоящее время наладить промышленное производство СБИС с контролем частиц размером более 0,1 мкм. Техника высокочистых сред будет развиваться и в дальнейшем на основе уже имеющегося опыта работы в чистых средах и модернизации существующей техники создания высокочистых сред.

В настоящее время максимальная для промышленных производств степень чистоты достигнута в технологии получения СБИС методом фотолитографии, где контролируемая концентрация частиц размером более 0,1 мкм составляет менее десяти частиц на кубический метр. История развития чистых помещений тесно связана с развитием полупроводниковой технологии.

В Японии в 1965 г. были созданы чистые технологические помещения, в которых вентиляция осуществлялась высокоэффективными фильтрами. Использование высокочистого воздуха в сфере производства полупроводниковых приборов и уменьшение концентрации аэрозолей привело к повышению качества приборов. Огромную роль сыграло внедрение в полупроводниковую технологию чистых комнат. В 1968 г. вслед за цветным телевидением в полупроводниковой технологии получили широкое распространение чистые комнаты класса 100. По мере развития полупроводниковой техники начала интенсивно разрабатываться технология производства БИС и СБИС.

Последовательная миниатюризация элементов схем способствовала увеличению степени интеграции от 4 кбит до 16, 64 и 256 кбит. В ближайшем будущем ожидается переход к интегральным схемам со степенью интеграции от 1 до 4 Мбит. При изготовлении БИС максимальный размер частиц, которыми можно пренебречь, составляет 1/5-1/10 от минимальных размеров топологии схемы (минимальная ширина линии). Следовательно, уже сейчас стоит вопрос о контроле частиц с размером 0,1 мкм и менее. Концентрация частиц с размером более 0,1 мкм по порядку не должна превышать десяти частиц на кубический метр.

Ты просто обязан поделиться этой статьёй, жми кнопки внизу!
Написать комментарий
Имя*
Email
Сайт
Введите ответ: 17+3=?
Сообщение*: